PDMS芯片加工工艺详解

2025-03-15 08:43
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本文全面解析PDMS芯片加工工艺,涵盖掩膜制作、光刻流程、PDMS浇筑与TMCS处理脱模技巧、等离子键合技术等关键步骤,详细对比不同工艺的优缺点,并提供高深宽比结构脱模优化方案。


一、PDMS芯片概述

定义
PDMS(聚二甲基硅氧烷)芯片是一种基于柔性有机硅材料的微流控器件,通过微纳加工技术在PDMS基底上构建微米级通道、腔室及功能结构,广泛应用于生物医学、化学分析、微流体操控等领域。

核心优势

  • 生物相容性:无毒且适合细胞培养

  • 光学透明性:透光率>90%(可见光范围)

  • 透气性:允许气体交换(如细胞培养中CO/O渗透)

  • 柔性加工:可复制纳米至毫米级结构

局限性

  • 机械强度低:易撕裂,长期使用易变形

  • 表面疏水性:需等离子处理增强亲水性

  • 耐溶剂性差:易被有机溶剂(如丙酮、乙醇)溶胀


二、掩膜制作工艺

1. 菲林掩膜

  • 材料:高分辨率透明胶片(线宽大于20um)

  • 工艺

    • 使用激光光绘机或高精度打印机输出设计图案

    • 显影定影后获得二元化(透明/不透明)掩膜

  • 优点:成本低(单张约100元)、快速迭代

  • 缺点:边缘粗糙度高,寿命短

2. 铬板掩膜

  • 材料:玻璃基底镀铬层(厚度80-100 nm)

  • 工艺

    • 电子束曝光或激光直写刻蚀铬层

    • 分辨率可达1 μm以下

  • 优点:精度高、寿命长(>1000次)

  • 缺点:成本高(600-800/片)

选择建议

  • 对流到精度要求低的推荐菲林掩膜

  • 量产或高精度需求选择铬板


三、光刻工艺流程

1. 基片预处理

  • 硅片/玻璃片超声清洗(丙酮→异丙醇→去离子水)

  • 脱水烘烤(150℃, 10 min)

  • 必要时进行氧等离子处理(提高表面亲水性,增强SU-8附着力)

2. 光刻胶选择


参数

SU-8负胶

AZ正胶(如AZ 5214)

曝光后行为

曝光区域交联固化(不可溶)

曝光区域化学键断裂(可溶)

显影结果

未曝光区域被显影液溶解

曝光区域被显影液溶解

光敏感波长

365 nm(i-line)

365 nm或405 nm(g-line/i-line)


2. 结构特性对比

参数

SU-8负胶

AZ正胶

分辨率

1–300 μm(适合高深宽比结构)

0.5–2 μm(适合高精度线条)

深宽比

可达20:1(如300 μm厚胶)

通常<5:1(厚度<10   μm时)

侧壁形貌

近垂直(曝光剂量优化后)

直壁或轻微正锥角

机械强度

高(交联后硬度类似塑料)

低(显影后胶层较脆)


3. 光刻步骤

  1. 匀胶:旋涂光刻胶(转速500-3000 rpm,厚度1-300 μm)

  2. 前烘:热板或烘箱中分阶段加热,避免热应力(例如65℃预热5分钟,95℃烘15-60分钟,依厚度调整)

  3. 曝光:紫外光(i-line, 365 nm)照射,剂量100-400 mJ/cm²

  4. 后烘(仅负胶):促进交联反应,热板或烘箱中分阶段加热,避免热应力(例如65℃预热5分钟,95℃烘15-60分钟,依厚度调整)

  5. 显影

    • 正胶:0.5% TMAH溶液

    • SU-8:PGMEA溶剂

步骤

    • 浸入显影液轻摇1-3分钟,未曝光部分溶解。

    • 异丙醇漂洗,氮气吹干。

    • 检查结构完整性,必要时二次显影。

  1. 坚膜:150℃ 5min (SU-8推荐)

  2. 硅烷化:常用tmcs处理,也可以用氟硅烷处理(参考衔接)


关键参数

  • 对准精度:±2 μm(需掩膜对准机)

  • 曝光深度控制:能量密度×时间


四、PDMS浇筑与脱模

1. PDMS配制

  • 基胶与固化剂比例:

    • 标准硬度:10:1(w/w)

    • 柔性需求:5:1(适用于可拉伸器件)

  • 混合脱泡:

    • 离心脱泡:2000 rpm × 5 min

    • 真空脱泡:-90 kPa至气泡消失(约30 min)

2. 浇筑成型

  • 倾注PDMS至模具表面(厚度建议>3 mm防撕裂),避免气泡

  • 固化条件:

    • 常规固化:80~90℃ × 1h

    • 快速固化:120℃ × 20 min(需验证热膨胀影响)

3. 脱模操作

  1. 冷却至室温避免热应力

  2. 从边缘缓慢剥离(推荐使用手术刀片辅助)

  3. 异丙醇冲洗去除残留未固化PDMS

  4. 氮气吹干保存

注意事项

  • 高深宽比结构(>5:1)需浸泡乙醇降低粘附力

  • 避免直接接触通道区域(镊子使用硅胶头)

  • SU-8厚度控制:旋涂速度与粘度决定厚度,需校准参数

  • 曝光剂量优化:避免欠曝(结构不完整)或过曝(细节损失)

  • 温度梯度:前烘和后烘需缓慢升降温,防止SU-8开裂

  • 脱模技巧:PDMS柔性好,但复杂结构需小心剥离,避免撕裂或无法脱模


五、PDMS键合工艺

1. 表面活化处理

  • 等离子处理(不同厂家等离子以实际为准)

    • 参数:50 W, 30 s, O流量50 sccm

    • 效果:生成Si-OH键,有效期<10 min

  • 化学处理:通过化学处理提高键合强度

2. 键合操作

  1. 将PDMS与玻璃/另一片PDMS对准贴合

  2. 施加均匀压力(~10 kPa)

  3. 二次固化:75℃ × 1 h增强结合力

键合质量检测

  • 显微镜观察界面无气泡

  • 压力测试:通入液体至破裂压力(通常>30 psi)


六、总结与优化建议

  1. 掩膜设计:根据掩膜工艺设计不同线宽     

  2. 脱模剂处理:模具需要进行硅烷化处理方便脱模

  3. 快速原型方案:3D打印模具(精度50 μm)+     PDMS浇筑(总周期<6 h)

参考文献

  • Whitesides, G. M. (2001). Soft Lithography in Biology     and Biochemistry.

  • Xia, Y. N. (1998). Soft Lithography. Angewandte     Chemie.


此工艺指南基于实验室级生产环境编写,如有疑问,可以联系我们技术人员。